Читать интересную книгу Большая Советская Энциклопедия (СО) - БСЭ БСЭ

  В СССР высокими темпами увеличивается и производство средств производства, и производство предметов потребления. При этом темпы их роста сближаются, что отражает поворот структуры общественного производства в сторону более полного удовлетворения потребностей трудящихся, повышения уровня жизни народа. Причём в общественном производстве в целом сохраняются опережающие темпы роста производства средств производства как основы технического перевооружения народного хозяйства, увеличения производства предметов потребления и улучшения жизни народа, укрепления обороны страны. Особенно быстро развиваются наиболее прогрессивные отрасли тяжёлой индустрии, определяющие технический прогресс во всём социалистическом народном хозяйстве.

  Теория С. о. п. была разработана К. Марксом и получила всестороннее развитие в трудах В. И. Ленина. Экономическая категория С. о. п. занимает важное место в теории социалистического воспроизводства; она является отправной в изучении динамики и структуры, пропорций общественного производства.

  Лит.: Маркс К., Капитал, т. 2, Маркс К. и Энгельс., Соч., 2 изд., т. 24, с. 413—15, 441—46, 481, 486, 490—91; Ленин В. И., По поводу так называемого вопроса о рынках, Полн. собр. соч., 5 изд., т. 1, с. 72, 80—81,100; его же, К характеристике экономического романтизма, там же, т. 2, г. 1, § 4–5; его же, Развитие капитализма в России, там же, т. 3, гл. 1, § 5—9; его же, Еще к вопросу о теории реализации, там же, т. 4, с.72—76; Материалы XXIV съезда КПСС, М., 1971; Материалы XXV съезда КПСС, М., 1976; Государственный пятилетний план развития народного хозяйства СССР на 1971—1975 годы, М., 1972, с. 72—82; Кронрод Я. А., Общественный продукт и его структура при социализме, М., 1958; Плышевский Б. П., Яременко Ю. В., Закономерности движения общественного продукта и национального дохода, М., 1963, гл. 1; Корягин А., Научно-техническая революция и пропорции социалистического воспроизводства, М., 1971, гл. 2.

  А. Г. Корягин.

Совпадений метод (в метрологии)

Совпаде'ний ме'тод в метрологии, один из методов сравнения с мерой, в котором разность между измеряемой величиной и величиной, воспроизводимой мерой, измеряют по совпадению отметок шкал или периодических сигналов. Примеры: измерение длины штангенциркулем с нониусом, основанное на совпадении делений на шкалах штангенциркуля и нониуса; определение периода пульсаров по совпадению максимумов импульсов излучения пульсара с отметками равных интервалов времени на ленте хронографа.

Совпадений метод (в физике)

Совпаде'ний ме'тод, распространённый в ядерной физике метод исследования, основанный на применении совпадений схем и позволяющий устанавливать временные зависимости различных коррелирующих событий. Так, при изучении элементарных актов ядерных взаимодействий (например, частиц высоких энергий, получаемых в ускорителях заряженных частиц, с атомными ядрами) одним из основных методов установления последовательности появления вторичных частиц и гамма-квантов является регистрация совпадающих во времени электрических сигналов, которые поступают с детекторов ядерных излучений. При этом совпадающими называются такие сигналы, которые полностью либо частично перекрываются во времени (рис.). Практическое использование С. м. предполагает знание кривой совпадений — зависимости числа выходных сигналов схемы совпадений от временного сдвига Dt между входными электрическими сигналами. В идеальном случае — для двухканальной (двухвходовой) схемы совпадений с прямоугольными входными сигналами длительностью t — кривая совпадений также имеет прямоугольную форму. В реальных условиях из-за шумов и влияния различных статистических факторов кривая совпадений может приобретать форму кривой, характеризующей нормальное распределение. Ширина кривой на половине её высоты, называемая разрешающим временем Тр, соответствует максимальной величине Dt между двумя событиями, удовлетворяющими условию одновременности, и определяется порогом срабатывания схемы совпадений.

  С. м. позволяет резко уменьшить влияние на регистрацию ядерных взаимодействий т. н. случайных совпадений, возникающих в силу того, что наряду с изучаемыми событиями обычно имеет место большой поток фоновых сигналов. Если, например, появление фоновых сигналов носит чисто случайный характер и для одного детектора среднее число событий (сигналов) в единицу времени составляет n1, их длительность t1, а для др. детектора — n2 и t2, то число случайно совпадающих сигналов от двух детекторов равно ncл @ n1×n2×(t1 + t2). Это число пропорционально времени взаимного перекрытия сигналов. Применение метода m-кратных совпадений даёт число случайных совпадений ncл » m×n1×... ×nm×tm–1 (при n×t < I и t1 = t2 =... = tm). Обычно интервалы времени t лежат в пределах от 10–9 до 10–5 сек.

  Лит.: Гольданский В. И., К уценко А. В., Подгорецкий М. И., Статистика отсчетов при регистрации ядерных частиц, М., 1959; Ковальский Е., Ядерная электроника, пер. с англ., М., 1972; Рехин Е. И., Чернов П. С., Метод совпадений, М., 1976.

  И. В. Штраних.

  t.

Импульсы совпадения: а — входной импульс в 1-м канале; б — предельные положения входного импульса во 2-м канале, при которых импульсы в обоих каналах считают совпадающими; U — амплитуда импульса; t — длительность импульса; t — время.

Совпадений схема

Совпаде'ний схе'ма, электронное устройство, служащее для выделения из совокупности поступающих на него сигналов (электрических импульсов) только таких, которые полностью либо частично перекрываются (совпадают) во времени; представляет собой коммутирующее устройство дискретного действия с несколькими входами и одним выходом, сигнал на котором появляется только тогда, когда есть сигналы на всех входах одновременно. С. с. применяется преимущественно в ядерной электронике и в технических средствах автоматики и вычислительной техники.

  В ядерной электронике посредством С. с. определяют одновременность появления двух или более электрических импульсов, генерируемых детекторами ядерных излучений при регистрации отдельных актов ядерных взаимодействий (см. Совпадений метод). С. с., применяемые в ядерной электронике, характеризуются следующими основными параметрами: разрешающим временем Тр (максимальный временной сдвиг между входными сигналами, при котором они регистрируются как одновременные), чувствительностью (минимальный уровень входных сигналов, поступающих одновременно на все входы С. с., при котором происходит её срабатывание), мёртвым временем (минимальное время между двумя последовательными срабатываниями С. с.). Кроме собственно узла совпадения, в состав С. с. входят пороговые формирующие элементы и выходной дискриминатор (для С. с. с Тр< 10 нсек характерно совмещение функциональных элементов в одном конструктивном узле). С. с. могут быть построены, например, на параллельно включенных элементах коммутации (транзисторах, полупроводниковых диодах и т.д.), имеющих малое внутреннее сопротивление по сравнению с сопротивлением нагрузки (см. рис.); известны С. с. с формирующими каскадами на туннельных диодах, а также С. с. мостового типа. Матричные С. с., выполненные средствами микроэлектроники, позволяют строить многовходовые системы в интегральном исполнении. Находят применение т. н. мажоритарные С. с., срабатывающие при некотором заданном числе совпадающих входных сигналов.

  В отличие от ядерной физики, в которой основная задача С. с. — отметить появление или установить число событий, совпадающих с полным либо частичным перекрытием в пределах заданного интервала времени, в вычислительных устройствах С. с. работает всегда в условиях строгого совпадения (полного перекрытия) входных сигналов. Применяемые в этих устройствах С. с. выполняют функции логических элементов «и», ключей, элементов переключательных матриц и т.п.

  Лит.: Элементы схем ядерного приборостроения, М., 1970; Каган Б. М., Каневский М. М., Цифровые вычислительные машины и системы, 2 изд. М., 1973; Современная ядерная электроника, т. 1, М., 1974.

  И. В. Штраних.

Схема совпадений: а — на транзисторах; б — на диодах; Rн — сопротивление нагрузки; R — сопротивления в цепи смещения; С — конденсатор (ёмкость) в цепи смещения; Т1, ..., Тn — транзисторы; D1, ..., Dn — диоды.