И. В. Крюкова.
Тиресий
Тире'сий, в древнегреческой мифологии слепой прорицатель из г. Фивы.
Тиринф
Тири'нф (Tiryns), древнегреческий город в Арголиде (Пелопоннес). Поселение на месте Т. возникло в эпоху неолита. В начале 2-го тысячелетии до н. э. Т. стал центром раннеклассового государства ахейцев . Время расцвета Т. приходится на 16—13 вв., когда на акрополе был выстроен большой царский дворец, украшенный фресками. Около 1400 акрополь Т. был обнесён мощными каменными стенами, так называемыми циклопическими, упомянутыми в «Илиаде» (II, 559) и описанными позднее Павсанием («Описание Эллады», II, 25). Укрепленные башнями стены Т. местами достигали 10 м толщины и имели внутри кладовые для оружия и др. Из крепости Т. подземный ход вёл к подземному источнику. Среди царей Т. особенно прославился Диомед (около 1240), согласно греческой традиции принимавший участие в походе на Трою . В 12 в., при вторжении дорийцев , акрополь Т. в результате пожара был опустошён, жизнь продолжалась в лежавшем вокруг акрополя нижнем городе. В 1-м тысячелетии до н. э. Т. оставался небольшим полисом. Около 470 до н. э. Т. был окончательно разрушен аргосцами.
Археологические исследование Т. началось с 1831; наиболее значительные результаты дали раскопки В. Дёрпфельда (в 1884—85), немецких археологов Г. Каро и К. Мюллера (в 1912—38, с перерывами), греческого археолога Н. Верделиса (в 60-х гг. 20 в.).
Лит.: Блаватская Т. В., Ахейская Греция во втором тысячелетии до н. э., М., 1966; Tiryns. Die Ergebnisse des Ausgrabungen des Institute, Bd I—6, Athen—Augsburg— Mainz am Rhein, 1912—73.
Г. В. Блаватская.
Тиристор
Тири'стор (от греч. thýra — дверь, вход и англ. resistor — резистор ), полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с четырёхслойной структурой р—n—p—n -типа, обладающий свойствами вентиля электрического и имеющий нелинейную разрывную вольтамперную характеристику (ВАХ). С крайними слоями (областями) монокристалла контактируют силовые электроды (СЭ) — анод и катод, от одного из промежуточных слоев делают вывод электрода управления (УЭ).
К СЭ подсоединяют токоподводы силовой цепи и устройства теплоотвода. В случае, когда к СЭ прикладывается напряжение прямой полярности U np (как указано на рис. 1 ), первый (П1 ) и третий (П3 ) электронно-дырочные переходы смещаются в прямом направлении, а второй (П2 ) — в обратном. Через переходы П1 и П3 в области, примыкающие к переходу П2 , инжектируются неосновные носители, которые уменьшают сопротивление перехода П2 , увеличивают ток через него и уменьшают падение напряжения на нём. При повышении прямого напряжения ток через Т. сначала растет медленно, что соответствует участку ОА на ВАХ (рис. 2 ). В этом режиме Т. можно считать запертым, так как сопротивление перехода П2 всё ещё очень велико (при этом напряжения на переходах П1 и П3 малы, и почти всё приложенное напряжение падает на переходе П2 ). По мере увеличения напряжения на Т. снижается доля напряжения, падающего на П2 , и быстрее возрастают напряжения на П1 и П2 , что вызывает дальнейшее увеличение тока через Т. и усиление инжекции неосновных носителей в область П3 . При некотором значении напряжения (порядка десятков или сотен в ), называется напряжением переключения U пер (точка А на ВАХ), процесс приобретает лавинообразный характер, Т. переходит в состояние с высокой проводимостью (включается), и в нём устанавливается ток, определяемый напряжением источника и сопротивлением внешней цепи (точка В на ВАХ).
Процесс скачкообразного переключения Т. из состояния с низкой проводимостью в состояние с высокой проводимостью можно объяснить, рассматривая Т. как комбинацию двух транзисторов (T1 и Т2 ), включенных навстречу друг другу (рис. 3 ). Крайние области монокристалла являются эмиттерами (р -слой называется анодным эмиттером, n -слой — катодным), а средние — коллектором одного и одновременно базой др. транзистора. Ток i , протекающий во внешней цепи Т., является током первого эмиттера i э1 и током второго эмиттера i э2 . Вместе с тем этот ток складывается из двух коллекторных токов i к1 и i к2 , равных соответственно a1 i э1 и a2 i э2 , где «a1 и a2 — коэффициенты передачи эмиттерного тока транзисторов T1 и Т2 ; кроме того, в его состав входит ток коллекторного перехода i кo (так называемый обратный ток). Таким образом i = a1 i э1 + a2 i э2 + i кo . С учётом i э1 = i э2 = i имеем . При малых токах a1 и a2 значительно меньше 1 (и их сумма также меньше 1). С увеличением тока a1 и a2 растут, что ведёт к возрастанию i. Когда он достигает значения, называется током включения I вк , сумма a1 +a2 становится приблизительно равной 1, и ток скачком возрастает до величины, ограничиваемой сопротивлением нагрузки (точка В на рис. 2 ). Всякий Т. характеризуется предельно допустимым значением прямого тока I пред (точка Г на рис. 2 ), при котором на приборе будет небольшое остаточное напряжение U ocт . Если же уменьшать ток через Т., то при некотором его значении, называется удерживающим током I yд (точка Б на рис. 2 ), Т. запирается — переходит в состояние с низкой проводимостью, соответствующее участку ОА на ВАХ. При напряжении обратной полярности кривая зависимости тока от напряжения выглядит так же, как соответствующая часть ВАХ полупроводникового диода .
Описанный способ включения Т. (повышением напряжения между его СЭ) применяют в Т., называется вентилями-переключателями (реже неуправляемыми Т., или динисторами). Однако преимущественное распространение получили Т., включаемые подачей в цепь УЭ импульса тока определённой величины и длительности при положительной разности потенциалов между анодом и катодом (обычно их называют управляемыми вентилями или Т.). Особую группу составляют фототиристоры , перевод которых в состояние с высокой проводимостью осуществляется световым воздействием. Выключение Т. производят либо снижением тока через Т. до значения I yд , либо изменением полярности напряжения на его СЭ.
В соответствии с назначением различают Т. с односторонней проводимостью, с двухсторонней проводимостью (симметричные), быстродействующие, высокочастотные, импульсные, двухоперационные и специальные.
Полупроводниковый элемент Т. изготовляют из кремниевых монокристаллических дисков (пластин), вводя в Si добавки В, Al и Р. При этом в основном используют диффузионную и сплавную технологию. Конструктивно Т. выполняют (рис. 4 ) в герметичном корпусе; для обеспечения механической прочности и устранения тепловых напряжений, возникающих из-за различия коэффициентов расширения Si и Cu (материал электродов), между кристаллом и электродами устанавливают термокомпенсирующие вольфрамовые или молибденовые диски. Различают Т. штыревой конструкции — в металлических и металлокерамических корпусах, прижимные (с отводом тепла с одной стороны Т.) и таблеточные (с двухсторонним отводом тепла). Основные конструкции Т. — таблеточная и штыревая. Т. на токи до 500 а изготовляют с воздушным охлаждением, на токи свыше 500 а — обычно с водяным.
Современные Т. изготовляют на токи от 1 ма до 10 ка напряжения от нескольких в до нескольких кв; скорость нарастания в них прямого тока достигает 109 а/сек, напряжения — 109 в/сек, время включения составляет величины от нескольких десятых долей до нескольких десятков мксек, время выключения — от нескольких единиц до нескольких сотен мксек; кпд достигает 99%.
Т. нашли применение в качестве вентилей в преобразователях электрической энергии (см. Преобразовательная техника , Тиристорный электропривод ), исполнительных и усилительных элементов в системах автоматического управления , ключей и элементов памяти в различных электронных устройствах и т. п., где они совместно с др. полупроводниковыми приборами к середине 70-х гг. 20 в. в основном вытеснили электронные (электровакуумные) и ионные (газоразрядные и ртутные) вентили.